特許

J-GLOBAL ID：200903054441455427

炭素原子による成膜及びエッチング処理方法及びその装置

発明者： 後藤 俊夫 ,  堀 勝
出願人/特許権者： 後藤 俊夫 ,  日本レーザ電子株式会社
代理人 (1件)： 伊藤 研一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-257617
公開番号（公開出願番号）：特開平10-102251
出願日： 1996年09月06日
公開日（公表日）： 1998年04月21日
要約：

【要約】【課題】反応性プラズマ中或いはレーザアブレーション中等の炭素ラジカルを高い再現性をもって直接、かつ高精度に測定して処理プロセスを制御することができる炭素原子による成膜及びエッチング処理方法及びその装置の提供。【解決手段】少なくとも炭素原子を含有した原料ガスをプラズマ化する。プラズマ化した原料ガスの炭素原子を被処理体上に堆積させて成膜したり、炭素原子を被処理体に衝突させてエッチングする際に、発光線発生手段から出射される炭素原子発光線をプラズマに照射し、炭素原子発光線の出射量とプラズマの透過量に基づいてプラズマ中の炭素原子密度を計測する。測定された炭素原子密度に基づいてプラズマ処理する。

請求項（抜粋）：

少なくとも炭素原子を含有した原料ガスをプラズマ化し、被処理体上に炭素含有薄膜を成膜したり、被処理体をエッチング処理するプラズマ処理方法において、プラズマ化した原料ガスに対して発光線発生手段から出射される炭素原子発光線を照射し、炭素原子発光線の出射量とプラズマの透過量とに基づいてプラズマ中の炭素原子密度を計測し、該炭素原子密度に基づいてプラズマ処理する炭素原子による成膜及びエッチング処理方法。

IPC (11件)：

C23C 14/54 ,  C03C 15/00 ,  C03C 17/245 ,  C23C 14/06 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52 ,  C23F 4/00 ,  H01J 37/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302

FI (12件)：

C23C 14/54 B ,  C03C 15/00 A ,  C03C 17/245 A ,  C23C 14/06 F ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50 ,  C23C 16/52 ,  C23F 4/00 E ,  C23F 4/00 A ,  H01J 37/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 Z