被加熱型基板支持構造体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-102018
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032238
出願日： 1997年04月18日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】処理チャンバ内で使用される被加熱型の基板支持プレートを改良すること、特に熱特性を向上させることにある。【解決手段】本発明の基板支持プレート136は、加熱要素54,56を受け入れるための溝90,100を有している。加熱要素54,56は、外被200と、ヒータコイル202と、熱伝導充填材料204とから構成されている。この加熱要素54,56は溝90,100内に配置された後、圧縮されて熱伝導充填材料がヒータコイルの回りで圧密化されるようになっている。

請求項（抜粋）：

処理チャンバ内で基板を加熱し支持するための基板支持構造体であって、所定の深さを有する溝を表面に含むプレートと、外被と、ヒータコイルと、前記外被及び前記ヒータコイルの間に配置された熱伝導充填材料とを有する加熱要素と、を備えており、前記加熱要素は前記溝内に配置され、配置前の初期状態においては前記深さよりも大きな第1の寸法を有しており、前記外被は、前記熱伝導充填材料が前記ヒータコイルの回りで圧密化される状態で前記加熱要素が前記溝内に嵌合されるよう、圧縮により変形されることを特徴とする、基板支持構造体。

IPC (2件)：

H01L 21/68 , H01L 21/205

FI (2件)：

H01L 21/68 N , H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (13件)

半導体ウェハ加熱装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-103129 出願人：京セラ株式会社
特開昭57-046488
特開昭57-046488

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