放射線検出装置、放射線検出システム、及び放射線検出装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山下穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-307033
公開番号（公開出願番号）：特開2000-131444
出願日： 1998年10月28日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：

【要約】【課題】 CsIの結晶性を向上させる。【解決手段】一対の光電変換素子12とスイッチ素子13とが複数配置されたセンサー基板上に、入射した放射線を光電変換素子12が検知可能な光に変換するシンチレーター層16を設けてなる放射線検出装置において、シンチレーター層16と接する面が平坦面である平坦化層15を、センサー基板とシンチレーター層16との間に設けた。

請求項（抜粋）：

一対の光電変換素子とスイッチ素子とが複数配置されたセンサー基板上に、入射した放射線を該光電変換素子が検知可能な光に変換するシンチレーター層を設けてなる放射線検出装置において、前記シンチレーター層と接する面が平坦面である平坦化層を、前記センサー基板と前記シンチレーター層との間に設けたことを特徴とする放射線検出装置。

IPC (3件)：

G01T 1/20 , G01T 1/202 , H01L 27/14

FI (5件)：

G01T 1/20 G , G01T 1/20 D , G01T 1/20 E , G01T 1/202 , H01L 27/14 K

Fターム (24件)：

2G088EE01 , 2G088EE27 , 2G088FF02 , 2G088FF14 , 2G088GG10 , 2G088GG16 , 2G088GG19 , 2G088GG20 , 2G088JJ05 , 2G088JJ37 , 2G088KK32 , 2G088MM10 , 4M118AA01 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA05 , 4M118CA34 , 4M118CB06 , 4M118FB03 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB20 , 4M118FB24 , 4M118GA02

引用特許：

審査官引用 (4件)

薄膜イメージセンサ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-004140 出願人：株式会社日立製作所
特開平1-191087
特表平5-502764

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