半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-204050
公開番号（公開出願番号）：特開平6-053491
出願日： 1992年07月30日
公開日（公表日）： 1994年02月25日
要約：

【要約】【目的】本発明は、低温下で、拡散層抵抗が低くかつ浅い拡散層を形成する方法を提供することを目的とする。【構成】本発明の第1では、少なくとも一部を露呈する開口部を有する絶縁膜5で覆われた基板1表面に、不純物を含む非晶質シリコン層6を堆積し、熱処理を行い基板表面上の非晶質シリコン層を結晶化し、不純物含有エピタキシャルシリコン層7を形成するとともに浅い不純物拡散層7sを形成するようにしている。

請求項（抜粋）：

少なくとも表面の一部にシリコンが露呈したシリコン基板上に、不純物を含む非晶質シリコン層を堆積する非晶質シリコン層形成工程と、熱処理を行い前記露出したシリコン上の非晶質シリコン層のみを結晶化するとともに該非晶質シリコン層から前記シリコン基板表面に前記不純物を拡散せしめ拡散層を形成する熱処理工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/784 , H01L 21/225 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 F , H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-167529
特開昭62-224922
特開昭62-177980

全件表示

前のページに戻る