特許
J-GLOBAL ID：200903054459913406

表示用基板の製造方法およびそれに用いるフォトマスク

発明者：
森田 聡

森田 聡 について

, 
小林 修

小林 修 について

, 
田中 慎一郎

田中 慎一郎 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について

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鳥取三洋電機株式会社

鳥取三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-117230
公開番号（公開出願番号）：特開2002-311596
出願日： 2001年04月16日
公開日（公表日）： 2002年10月23日
要約：
【要約】【課題】 反射面の凸凹形状を反射のし易い形状とすること。【解決手段】 基板上に感光性を有する絶縁性樹脂を形成する工程と、前記樹脂表面に凸凹を形成するためのパターンが形成されたフォトマスクを用いて前記絶縁性樹脂を露光する工程と、露光された前記樹脂を現像する工程と、前記凸凹が形成された樹脂上に反射用の表示電極を形成する工程を備える表示用基板の製造方法において、露光工程は、前記フォトマスクの樹脂残存用パターンの周囲に樹脂の周囲に傾斜面を形成するための樹脂残存用補助パターン53を形成したフォトマスク5を用いることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板上に感光性を有する絶縁性樹脂を形成する工程と、前記樹脂表面に凸凹を形成するためのパターンが形成されたフォトマスクを用いて前記絶縁性樹脂を露光する工程と、露光された前記樹脂を現像する工程と、前記凸凹が形成された樹脂上に反射用の表示電極を形成する工程を備える表示用基板の製造方法において、前記露光工程は、前記フォトマスクの樹脂残存用パターンの周囲に樹脂の周囲に傾斜面を形成するための樹脂残存用補助パターンを形成したフォトマスクを用いることを特徴とする表示用基板の製造方法。
IPC (10件)：
G03F 7/20 501 ,  G02B 5/08 ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1335 520 ,  G02F 1/1343 ,  G03F 1/08 ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/00 342 ,  G09F 9/30 310 ,  H01L 21/027
FI (11件)：
G03F 7/20 501 ,  G02B 5/08 A ,  G02B 5/08 C ,  G02F 1/13 101 ,  G02F 1/1335 520 ,  G02F 1/1343 ,  G03F 1/08 D ,  G09F 9/00 338 ,  G09F 9/00 342 Z ,  G09F 9/30 310 ,  H01L 21/30 502 P
Fターム (53件)：
2H042DA02 ,  2H042DA11 ,  2H042DB00 ,  2H042DC01 ,  2H042DC08 ,  2H042DD00 ,  2H042DE04 ,  2H088FA18 ,  2H088HA02 ,  2H088HA08 ,  2H088HA21 ,  2H088MA01 ,  2H088MA20 ,  2H091FA16 ,  2H091FB04 ,  2H091FB08 ,  2H091FC10 ,  2H091FC21 ,  2H091GA02 ,  2H091LA12 ,  2H091LA16 ,  2H092GA17 ,  2H092GA19 ,  2H092HA05 ,  2H092JA26 ,  2H092JB08 ,  2H092KB11 ,  2H092MA10 ,  2H092MA14 ,  2H092MA17 ,  2H092NA01 ,  2H092NA27 ,  2H092PA12 ,  2H095BA04 ,  2H095BA12 ,  2H095BB02 ,  2H097GA00 ,  2H097LA12 ,  5C094AA10 ,  5C094AA43 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094EB04 ,  5C094ED11 ,  5G435AA03 ,  5G435AA17 ,  5G435BB12 ,  5G435BB16 ,  5G435CC09 ,  5G435FF03 ,  5G435KK05 ,  5G435KK09 ,  5G435KK10
引用特許：
審査官引用 (3件)

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