半導体装置の製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-140800
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340144
出願日： 1998年05月22日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】成膜室内に治具が設置される成膜装置おいて、成膜中における異物の発生が少ない半導体装置の製造方法を提供することである。【解決手段】成膜装置成膜室内に設置する防着治具の表面に、防着治具母材と同一材料の溶射が形成され、その上にアルミニウム溶射膜を形成し、防着治具へ付着する成膜生成物の密着力と溶射膜の防着治具への密着力を向上させる。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に薄膜を形成する半導体装置の製造方法において、成膜装置の成膜室に設置する防着治具の表面が複数層から成る溶射膜によってコーティングされており、該複数層から成る溶射膜の表面に最大高さ30〜500ミクロンの凹凸が形成され、且つ溶射膜内の層間の界面が最大高さ30〜500ミクロンの凹凸形状を有しており、該防着治具を設置した状態で半導体基板上に成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 4/00 , C23C 4/04 , H01L 21/203

FI (4件)：

H01L 21/205 , C23C 4/00 , C23C 4/04 , H01L 21/203 S

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