特許

J-GLOBAL ID：200903054472459242

絶縁膜パターンの形成方法および感光性組成物

発明者： 御子柴 智 ,  早瀬 修二 ,  中野 義彦 ,  川田 利佳子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-233199
公開番号（公開出願番号）：特開平10-079381
出願日： 1996年09月03日
公開日（公表日）： 1998年03月24日
要約：

【要約】【課題】 アルカリ現像が可能で、高精度かつ低誘電率の絶縁膜パターンを容易に形成し得る方法を提供しようとするものである。【解決手段】 所定の単量体を有する第1珪素ポリマーと所定の単量体を有する第2珪素ポリマーとを含む感光性組成物を基板上に塗布して感光性組成物膜を形成する工程と、前記感光性組成物膜に選択的に露光した後、アルカリ現像する工程と、現像後の感光性組成物膜パターンを加熱処理する工程とを具備したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

下記化1に示す一般式(I)の単量体を有する第1珪素ポリマーと下記化2に示す一般式(II)の単量体を有する第2珪素ポリマーとを含む感光性組成物を基板上に塗布して感光性組成物膜を形成する工程と、前記感光性組成物膜に選択的に露光した後、現像する工程と、現像後の感光性組成物膜パターンを加熱処理する工程とを具備したことを特徴とする絶縁膜パターンの形成方法。【化1】ただし、式中のR1 〜R3 は水素、置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香族基を示す。【化2】ただし、式中のR4 、R5 は水素、置換もしくは無置換のアルキル基、または置換もしくは無置換の芳香族基を示す。

IPC (5件)：

H01L 21/312 ,  C08L 83/16 LRZ ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/027 ,  C08G 77/62 NUM

FI (5件)：

H01L 21/312 C ,  C08L 83/16 LRZ ,  G03F 7/075 511 ,  C08G 77/62 NUM ,  H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-252018   出願人：触媒化成工業株式会社
• ハイドロゲンシルセスキオキサン樹脂からの光画描可能な皮膜
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-099041   出願人：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション