特許

J-GLOBAL ID：200903054483969137

成膜体およびその製造方法

発明者： 水野 清義 ,  田中 悟 ,  白澤 徹郎 ,  林 賢二郎 ,  栃原 浩
出願人/特許権者： 水野 清義
代理人 (2件)： 加藤 久 ,  堀田 幹生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-274410
公開番号（公開出願番号）：特開2008-098200
出願日： 2006年10月05日
公開日（公表日）： 2008年04月24日
要約：

【課題】大気中でも化学的および熱的に安定な表面と界面を有する成膜体を提供する。【解決手段】本発明の成膜体は、SiC基板上にSiN膜1が形成され、SiN膜1上にSiO膜2が形成されている成膜体であり、SiN膜1とSiO膜2はいずれもエピタキシャル成長により形成された単結晶である。この成膜体は、SiC基板に対して水素ガスを用いてエッチングを行った後に、水素を窒素に置換して窒素雰囲気中で加熱することにより、製造することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

SiC基板上にSiN膜が形成され、前記SiN膜上にSiO膜が形成されている成膜体であって、前記SiN膜と前記SiO膜はいずれも単結晶からなることを特徴とする成膜体。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/316

FI (5件)：

H01L21/318 M ,  H01L21/316 S ,  H01L21/318 A ,  H01L21/318 C ,  H01L21/316 M

Fターム (13件)：

5F058BA08 ,  5F058BA20 ,  5F058BB01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BF62 ,  5F058BF64 ,  5F058BJ01