特許

J-GLOBAL ID：200903054496207600

成膜方法及び装置

発明者： 桐村 浩哉 ,  岸田 茂明 ,  緒方 潔 ,  三上 隆司 ,  奥村 正彦
出願人/特許権者： 日新電機株式会社
代理人 (1件)： 谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-003100
公開番号（公開出願番号）：特開平10-194892
出願日： 1997年01月10日
公開日（公表日）： 1998年07月28日
要約：

【要約】【解決手段】 成膜原料ガスに電力供給してこのガスをプラズマ化し、このプラズマ13の下で被成膜物品10の上に膜形成する方法及び装置であって、プラズマ13を物品10の周縁部の近傍に形成するとともに、プラズマ13と物品10との間に設けたコリメーター7を通して物品10をプラズマ13に臨ませる成膜方法及び装置。【課題】 比較的低温下で、生産性良く、結晶性良好な膜を形成できる成膜方法及び装置を提供する。

請求項（抜粋）：

成膜原料ガスに電力供給して該ガスをプラズマ化し、該プラズマの下で被成膜物品上に膜形成する方法であって、該プラズマを該被成膜物品の周縁部の近傍に形成するとともに、該プラズマ形成領域と該物品との間に設けたコリメーターを通して該物品を該プラズマに臨ませることを特徴とする成膜方法。

IPC (8件)：

C30B 29/06 504 ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/50 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 31/04

FI (7件)：

C30B 29/06 504 C ,  C23C 16/24 ,  C23C 16/50 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/78 618 A ,  H01L 31/04 X

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-315265   出願人：キヤノン株式会社
• 単結晶薄膜形成方法および単結晶薄膜形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-341281   出願人：株式会社メガチップス, 株式会社ニューラルシステムズ