特許

J-GLOBAL ID：200903054507910970

磁気抵抗素子及びそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ

発明者： 福本 能之
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 工藤 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-152054
公開番号（公開出願番号）：特開2008-306002
出願日： 2007年06月07日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：

【課題】磁気抵抗素子の磁化自由層の磁歪定数の大きさを、高MRを保ったまま安定的に小さくする。【解決手段】磁歪定数が正の強磁性層と磁歪定数が負の強磁性層とを非磁性層を介して適切な大きさで強磁性結合させることにより、それらの磁歪定数がキャンセルして全体の磁歪定数がゼロとなるように磁化自由層を形成する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

固定された磁化を有する磁化固定層と、 反転可能な磁化を有する磁化自由層と、 前記磁化固定層と前記磁化自由層との間に配置された非磁性層とを具備し、 前記磁化自由層は、 前記非磁性層に隣接し、磁歪定数が正である第一強磁性層と、 磁歪定数が負であり前記第一強磁性層と平行に結合された第二強磁性層と、 前記第一強磁性層と前記第二強磁性層との間に配置された平行結合非磁性層とを備え、 前記磁化自由層の全体としての実効的な磁歪定数の絶対値は1ppm以下である 磁気抵抗素子。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105

FI (2件)：

H01L43/08 Z ,  H01L27/10 447

Fターム (36件)：

4M119AA17 ,  4M119CC04 ,  4M119DD05 ,  4M119DD06 ,  4M119DD09 ,  4M119DD13 ,  4M119DD25 ,  5F092AA20 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD24 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BB55 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC13 ,  5F092BC43 ,  5F092BE04 ,  5F092BE06 ,  5F092BE13 ,  5F092BE21 ,  5F092BE24 ,  5F092BE25 ,  5F092BE27

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許6545906号明細書
  
• 磁気記憶装置のフリー層における磁気歪を制御する方法および装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-315136   出願人：ヒタチグローバルストレージテクノロジーズネザーランドビーブイ