特許
J-GLOBAL ID：200903032291508698
磁気記憶装置のフリー層における磁気歪を制御する方法および装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小川 勝男
, 木崎 邦彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-315136
公開番号（公開出願番号）：特開2005-167214
出願日： 2004年10月29日
公開日（公表日）： 2005年06月23日
要約：
【課題】 磁気記憶装置のフリー層において、磁気歪を制御する方法および装置を開示する。【解決手段】 ピン層610,分離層620,フリー層630を有する磁気記憶装置のフリー層に対し,第一層厚t1を有す第一フリー層632と第2層厚t2を有す第2フリー層634を設ける。磁気抵抗比ΔR/Rを変更せずに所望の磁気歪を得るため第一,第2フリー層632,634のターゲット組成物を変更せずに,相対厚さ値を修正することにより,フリー層630の磁気歪を制御する。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
ピン層を形成し、前記ピン層を覆う分離層を形成し、第1層厚を有す第1フリー層を形成し、第2層厚を有す第2フリー層を形成し、所望の磁気歪を実現するように前記第1層厚と第2層厚との比を選択することを特徴とする磁気記憶装置のフリー層における磁気歪を制御する方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (3件)：
5D034BA04
, 5D034BA05
, 5D034CA08
