特許
J-GLOBAL ID:200903054519275013

パターン形成方法およびそれを用いた構造体の加工方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 吉武 賢次 ,  中村 行孝 ,  紺野 昭男 ,  横田 修孝
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-298926
公開番号(公開出願番号):特開2006-110434
出願日: 2004年10月13日
公開日(公表日): 2006年04月27日
要約:
【課題】 パターンのばらつきの小さい、ブロックコポリマーの自己組織的な相分離構造を利用したパターン形成方法の提供。【解決手段】 メソゲン基を有するブロックを少なくともひとつ含んでなるブロックコポリマーの溶液を、予め溝構造が形成された基板上に塗布し、前記溝内において前記ブロックコポリマーを自己組織化させ、それによって形成されたブロックコポリマー集合体を規則的に配列させる、ブロックコポリマーの相分離構造を用いたパターン形成方法と、その方法により得られたパターンをテンプレートとして基板を加工する加工方法。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
ブロックコポリマーの相分離構造を用いたパターン形成方法であって、メソゲン基を有するブロックを少なくともひとつ含んでなるブロックコポリマーの溶液を、予め溝構造が形成された基板上に塗布し、前記溝内において前記ブロックコポリマーを自己組織化させ、それによって形成されたブロックコポリマー集合体を規則的に配列させることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件):
B05D 7/24 ,  G11B 5/855
FI (2件):
B05D7/24 302Z ,  G11B5/855
Fターム (9件):
4D075BB57Z ,  4D075DA32 ,  4D075DC27 ,  4D075EB31 ,  4D075EB52 ,  4D075EB56 ,  5D112AA16 ,  5D112CC01 ,  5D112EE06
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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