特許
J-GLOBAL ID:200903054521138775

パターン形成方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 須藤 阿佐子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-119546
公開番号(公開出願番号):特開2002-313750
出願日: 2001年04月18日
公開日(公表日): 2002年10月25日
要約:
【要約】【課題】 100μm以下の微細ピッチの領域で、ミクロンオーダーの厚さを有するパターンを容易に形成できる手法の提供。【解決手段】 基体上に所望の形状に孔を開けたマスクを設け、マスクの上から物質を付着させることによりマスクの孔の形状通りのパターンを形成するに当たり、該物質を超臨界流体または亜臨界流体に溶解させて微小孔から基体に向けて噴射することを特徴とするパターン形成方法。超臨界流体または亜臨界流体として超臨界状態または亜臨界状態の二酸化炭素を用いる。超臨界流体または亜臨界流体に溶解させる物質は金属アルコキシドまたは金属錯体である。
請求項(抜粋):
基体上に所望の形状に孔を開けたマスクを設け、マスクの上から物質を付着させることによりマスクの孔の形状通りのパターンを形成するに当たり、該物質を超臨界流体または亜臨界流体に溶解させて微小孔から基体に向けて噴射することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件):
H01L 21/30 ,  G03F 7/40 521
FI (2件):
H01L 21/30 ,  G03F 7/40 521
Fターム (5件):
2H096AA25 ,  2H096AA30 ,  2H096HA17 ,  2H096LA30 ,  5F046AA28
引用特許:
審査官引用 (6件)
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