高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：富田和夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-219957
公開番号（公開出願番号）：特開平10-060635
出願日： 1996年08月21日
公開日（公表日）： 1998年03月03日
要約：

【要約】【課題】ソフトエラーを発生させることのない高誘電体膜形成用スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】 226 Raの濃度が50mBq/g以下であるBaTi複合酸化物またはBaSrTiの複合酸化物からなる高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット。

請求項（抜粋）：

質量数:226のRa(以下、226 Raと記す)の濃度が50mBq/g以下であることを特徴とするBaおよびTiの複合酸化物からなるペロブスカイト構造を有する高誘電体膜形成用スパッタリングターゲット。

IPC (8件)：

C23C 14/34 , C04B 35/46 , C23C 14/08 , H01L 21/203 , H01L 21/285 , H01L 21/31 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (7件)：

C23C 14/34 A , C23C 14/08 K , H01L 21/203 S , H01L 21/285 S , H01L 21/31 D , C04B 35/46 C , H01L 27/10 651

引用特許：

審査官引用 (2件)

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