特許
J-GLOBAL ID：200903054531724370
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-186049
公開番号（公開出願番号）：特開平8-051203
出願日： 1994年08月08日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：
【要約】【目的】 集積度の高い縦型トランジスタにおいてサブスレッショルド特性の向上を図る。【構成】 層間絶縁膜15にこれを貫通するトランジスタ用開口部16を設け、その中にソース/チャネル/ドレインとなるエピタキシャル層18、19a、bを積層して活性領域17を形成し、さらにこの活性領域17の上から二層を貫通するゲート電極用開口部20を形成して、その中にゲート絶縁膜22を介してゲート電極23を形成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に、層間絶縁膜と、この層間絶縁膜を貫通して下地の上記半導体基板に到達しその側面周囲が上記層間絶縁膜に囲まれる様に形成されたトランジスタ用開口部と、このトランジスタ用開口部内の上記半導体基板上にチャネル領域となる第一導電型の半導体層とこれを上下方向から挟む様にソース・ドレイン領域となる第二導電型の半導体層との三層を積層して成る活性領域と、上記トランジスタ用開口部の中央部に上記活性領域の少なくとも上から二層を貫通する様に形成されたゲート電極用開口部と、このゲート電極用開口部内にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 29/78
, H01L 21/28
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
, H01L 29/43
H01L 29/78 653 B
, H01L 27/10 671 A
, H01L 29/62 G
, H01L 29/78 301 X
