特許

J-GLOBAL ID：200903054549427055

温度検出機能を備える半導体装置

発明者： 森 昌吾
出願人/特許権者： 株式会社豊田自動織機
代理人 (1件)： 大菅 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-004905
公開番号（公開出願番号）：特開2002-208677
出願日： 2001年01月12日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：

【要約】【課題】 温度検出機能を備える半導体装置のESD耐量を向上させる。【解決手段】 MOSトランジスタ10の近傍に温度検出用ダイオード20が設けられる。温度検出用ダイオード20に並列に且つ逆方向に保護ダイオード30が接続される。保護ダイオード30に直列に抵抗40が接続される。

請求項（抜粋）：

半導体素子、およびその半導体素子またはその周辺の温度を検出するためのダイオードを備える半導体装置であって、上記ダイオードと並列且つ逆方向に接続される保護ダイオードと、その保護ダイオードを介して流れる電流を制限する電流制限手段と、を有する半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78 657 ,  H01L 29/78

FI (5件)：

H01L 29/78 657 F ,  H01L 29/78 657 A ,  H01L 29/78 657 G ,  H01L 27/04 H ,  H01L 27/08 102 F

Fターム (15件)：

5F038AV06 ,  5F038BH02 ,  5F038BH04 ,  5F038BH05 ,  5F038BH13 ,  5F038EZ20 ,  5F048AC10 ,  5F048BA06 ,  5F048BB05 ,  5F048BC03 ,  5F048BC12 ,  5F048CB07 ,  5F048CC01 ,  5F048CC06 ,  5F048CC18

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-229757
  
• 特開昭63-229757
  
• 温度検出用ダイオード付パワーMOSFET
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-335188   出願人：日本電気株式会社
• 特開平3-030363