特許

J-GLOBAL ID：200903054556268264

窒化物半導体レーザ素子

発明者： 佐野 雅彦 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-244701
公開番号（公開出願番号）：特開平10-093186
出願日： 1996年09月17日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【目的】 導波路領域にあたる活性層に歪み、格子欠陥以外の欠陥を入りにくくして、レーザ素子の寿命を向上させる。【構成】 基板の上にn型層と、活性層と、p型層とを有し、最上層にあるp型層の表面にp電極が設けられてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記p電極には、p電極と電気的に接続されて、p電極よりも面積が大きいボンディング用のパッド電極が形成されており、前記レーザ素子のp電極は、活性層の導波路領域上部に相当するパッド電極の表面と異なるパッド電極の表面でボンディングされている。

請求項（抜粋）：

基板の上にn型層と、活性層と、p型層とを有し、最上層にあるp型層の表面にp電極が設けられてなる窒化物半導体レーザ素子において、前記p電極には、p電極と電気的に接続されて、p電極よりも面積が大きいボンディング用のパッド電極が形成されており、前記レーザ素子のp電極は、活性層の導波路領域上部に相当するパッド電極の表面と異なるパッド電極の表面でボンディングされていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-185284   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-220396   出願人：本田技研工業株式会社
• 半導体発光素子およびその製法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-202479   出願人：ローム株式会社
• 特開平3-214684