電界効果トランジスタおよび高周波電力増幅器

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-056442
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256271
出願日： 1997年03月11日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】電力変換効率が高く、かつドレイン効率および歩留まりを可及的に高くすることを可能にする。【解決手段】半導体基板1の表面領域に形成された第1導電型の動作層3と、この動作層上に形成されたゲート電極4と、ゲート電極の両側の半導体基板に形成された、動作層よりも不純物濃度の高い第1導電型のソース領域8bおよびドレイン領域8bと、ゲート電極下のチャネル領域とソース領域の間およびチャネル領域とドレイン領域の間の半導体基板に形成され、ソース領域およびドレイン領域とほぼ同じ深さでかつ不純物濃度がチャネル領域よりも高くソース領域およびドレイン領域よりも低い第1導電型の第1および第2の不純物領域6a,6bと、を備えていることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面領域に形成された第1導電型の動作層と、この動作層上に形成されたゲート電極と、前記ゲート電極の両側の前記半導体基板に形成された、前記動作層よりも不純物濃度の高い第1導電型のソース領域およびドレイン領域と、前記ゲート電極下のチャネル領域と前記ソース領域の間および前記チャネル領域と前記ドレイン領域の間の半導体基板に形成され、前記ソース領域およびドレイン領域とほぼ同じ深さでかつ不純物濃度がチャネル領域よりも高く前記ソース領域およびドレイン領域よりも低い第1導電型の第1および第2の不純物領域と、を備えていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812

引用特許：

審査官引用 (13件)

特開平2-007443
特開昭63-126232
特開昭63-126232

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