半導体増幅器

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-056037
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321519
出願日： 1996年03月13日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【課題】ゲート電位を0Vとした単一電源動作の下で駆動させることができ、かつ十分な出力電力を確保しつつ、より高い効率が得られる半導体増幅器を提供する。【解決手段】増幅素子として動作するソース接地型MESFETを用い、低電圧で動作する高周波用の半導体増幅器において、MESFETをゲート電位を0Vとした単一電源動作の下で駆動し、かつMESFETのしきい値電圧を-0.5Vから0Vの範囲に設定した。

請求項（抜粋）：

増幅素子として動作するソース接地型MESFETと、このMESFETをゲート電位を0Vとした単一電源動作の下で駆動する手段とを具備し、前記MESFETのしきい値電圧を-0.5Vから0Vの範囲に設定してなることを特徴とする半導体増幅器。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H03F 3/193

FI (2件)：

H01L 29/80 B , H03F 3/193

引用特許：

審査官引用 (7件)

増幅回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-138542 出願人：シャープ株式会社
特開平4-373134
ショットキ形電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-177768 出願人：松下電器産業株式会社

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