特許

J-GLOBAL ID：200903054564500419

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者： 臼田 宏治
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-300442
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110662
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 少なくとも表面に多結晶シリコンを含む半導体層表面の凹凸を低減して表面平坦性を向上させつつ、この半導体層上に絶縁層を直接形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 基板上に、多結晶シリコンを少なくとも表面に有する半導体層を形成する工程、および、前記半導体層の上に励起酸素種を適用して絶縁層を形成する工程を具備することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に、多結晶シリコンを少なくとも表面に有する半導体層を形成する工程、および前記半導体層の上に励起酸素種を適用して絶縁層を形成する工程を具備する半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/316 A ,  H01L 21/283 L ,  H01L 21/302 L ,  H01L 29/78 617 V

Fターム (31件)：

4M104AA01 ,  4M104AA02 ,  4M104AA08 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104EE03 ,  4M104EE15 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104GG14 ,  4M104HH12 ,  5F004AA11 ,  5F004DB02 ,  5F004EA27 ,  5F004EB08 ,  5F004FA08 ,  5F058BA01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BF73 ,  5F058BJ01 ,  5F110AA22 ,  5F110AA30 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110FF01 ,  5F110FF21 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG60

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-262129   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-293714   出願人：株式会社東芝