特許

J-GLOBAL ID：200903039695444051

半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置

発明者： 長嶺 真 ,  伊藤 仁
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-293714
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124214
出願日： 1998年10月15日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】 今後の半導体装置に必要な信頼性を有するゲート酸化膜を実現するための、簡便な半導体装置の製造方法および半導体装置の製造装置を提供すること。【解決手段】 半導体装置の製造方法は、所定の圧力下で酸素活性種および水分子を含む雰囲気で半導体層の表面を酸化することにより酸化膜を形成する工程を備えた。また、半導体装置の製造装置は、酸素原子を有する分子を含むガスのプラズマ放電部および表面に半導体層を有する基板を酸素活性種雰囲気に晒す処理容器を有する半導体装置の製造装置において、前記プラズマ放電部において生成された酸素活性種が基板に到達し、かつ前記プラズマ放電部において生成されたイオンが直接前記基板に到達しないようにした。

請求項（抜粋）：

所定の圧力下で酸素活性種および水分子を含む雰囲気で半導体層の表面を酸化することにより酸化膜を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31

FI (2件)：

H01L 21/316 S ,  H01L 21/31 C

Fターム (29件)：

5F045AA16 ,  5F045AA20 ,  5F045AB32 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AC16 ,  5F045AD13 ,  5F045AE21 ,  5F045AF03 ,  5F045AF12 ,  5F045BB02 ,  5F045BB07 ,  5F045BB16 ,  5F045DC55 ,  5F045EB02 ,  5F045EE18 ,  5F045EE20 ,  5F045EH18 ,  5F045EH19 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BF55 ,  5F058BF60 ,  5F058BF72 ,  5F058BF73 ,  5F058BF80 ,  5F058BG02 ,  5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-305966   出願人：株式会社東芝
• 熱処理装置およびこれを用いたシリコン酸化膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-089535   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置におけるシリコン酸化膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-269254   出願人：ソニー株式会社