半導体装置およびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小鍜治明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-194618
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050391
出願日： 1993年08月05日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：

【要約】【目的】強誘電体膜および高誘電体膜を容量絶縁膜とする容量素子のリーク電流の増加を防止し、絶縁耐圧の低下を防止する。【構成】シリコン基板1の層間絶縁膜2の上に下電極7と強誘電体膜または高誘電率を有する誘電体膜などの容量絶縁膜8と上電極9とからなる容量素子10が形成されており、容量素子10を覆って第1の保護膜11が形成されており、半導体集積回路または容量素子10に接続される金属配線13a,13bが形成されており、かつ容量素子10を覆ってりんを添加した酸化珪素膜15とりんを添加しない酸化珪素膜16とが積層して形成されている。

請求項（抜粋）：

半導体集積回路が形成された支持基板の絶縁膜の上に下電極と強誘電体膜または高誘電率を有する誘電体膜などの容量絶縁膜と上電極とからなる容量素子が形成されており、前記容量素子を覆って第1の保護膜が形成されており、前記第1の保護膜に設けたコンタクトホールを通して上電極または下電極に接続される金属配線が形成されており、前記容量素子を覆ってりんを添加した酸化珪素膜とりんを添加しない酸化珪素膜とが積層して形成されている半導体装置。

IPC (8件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/8242 , H01L 27/108 , H01L 27/10 451 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 27/04 C , H01L 27/10 325 J , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-291960
特開平4-072656
特開平1-283862

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