特許
J-GLOBAL ID：200903054574508493
基板通過型真空蒸着装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
青山 葆 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-316673
公開番号（公開出願番号）：特開2001-131733
出願日： 1999年11月08日
公開日（公表日）： 2001年05月15日
要約：
【要約】【課題】 基板への蒸発粒子の入射角度、入射範囲を調整可能とした基板通過型真空蒸着装置を提供する。【解決手段】 基板1が通過する主チャンバー2と蒸着原料3が配置された副チャンバー4とを開口部Hを介して連通させる基板通過型真空蒸着装置において、前記主チャンバー2内に基板1と平行に進退でき、開口部Hの後縁部位置を定める前段遮蔽板11および前記開口部の前縁部位置を定める後段遮蔽板12が設けられている。
請求項（抜粋）：
基板が通過する主チャンバーと蒸着原料が配置された副チャンバーとを開口部を介して連通させる基板通過型真空蒸着装置において、前記主チャンバー内に前記基板と平行に進退でき、前記開口部の後縁部位置を定める前段遮蔽板および前記開口部の前縁部位置を定める後段遮蔽板を設けたことを特徴とする基板通過型真空蒸着装置。
FI (2件)：
C23C 14/24 G
, C23C 14/24 U
