誘電体分離基板およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-053435
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263541
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】誘電体分離基板における接合界面に発生するボイドをなくす。【構成】単結晶シリコン層1に溝2を形成したのち、シリコン酸化膜3と多結晶シリコン層4で溝を埋め、次で緩衝層5を形成して表面を平坦とする。次で支持基板6上にシリコン酸化膜3Aを形成し前記緩衝層5と酸化膜3Aとを接合面として接合した後、熱処理する。

請求項（抜粋）：

支持基板と、前記支持基板の主表面に形成された酸化膜と、前記酸化膜の上に接合された緩衝層と、前記緩衝層上に積層された多結晶シリコン層と、前記多結晶シリコン層上に誘電体膜を介して形成されかつ誘電体膜によって相互に絶縁分離された複数の単結晶シリコン島とを含むことを特徴とする誘電体分離基板。

IPC (3件)：

H01L 21/762 , H01L 21/02 , H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平3-265153
特開昭53-034483
特開平3-201548

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