特許
J-GLOBAL ID:200903054599663280

半導体モジュ-ル

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 波多野 久 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-116898
公開番号(公開出願番号):特開平11-330311
出願日: 1997年08月25日
公開日(公表日): 1999年11月30日
要約:
【要約】【課題】裏金属板とヒートシンク板との両方は必要とせず構造が簡素で小型化でき、かつ放熱性,構造強度および耐熱サイクル性を改善した半導体モジュールを提供する。【解決手段】熱伝導率が60w/m・k以上である高熱伝導性窒化けい素基板10と、この高熱伝導性窒化けい素基板10に搭載された半導体素子7と、この高熱伝導性窒化けい素基板10の半導体素子搭載面側に接合された金属回路板3と、上記高熱伝導性窒化けい素基板10の半導体素子非搭載面側に接合され、かつ機器ケーシング9あるいは実装ボードに一体に接合される単数の金属板4aとを具備することを特徴とする。
請求項(抜粋):
不純物陽イオン元素としてのLi,Na,K,Fe,Ca,Sr,Ba,Mn,Bを合計で1.0重量%以下含有し、熱伝導率が60w/m・k以上である高熱伝導性窒化けい素基板と、この高熱伝導性窒化けい素基板に搭載された半導体素子と、この高熱伝導性窒化けい素基板の半導体素子搭載面側に接合された金属回路板と、上記高熱伝導性窒化けい素基板の半導体素子非搭載面側に接合され、かつ機器ケーシングあるいは実装ボードに一体に接合される金属板とを具備することを特徴とする半導体モジュール。
引用特許:
審査官引用 (1件)
  • 回路基板
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平7-319369   出願人:電気化学工業株式会社

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