半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大菅義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-310121
公開番号（公開出願番号）：特開2005-079448
出願日： 2003年09月02日
公開日（公表日）： 2005年03月24日
要約：

【課題】主電流が縦方向に流れる半導体装置において、オン抵抗を小さく抑えながらアバランシシェ耐量を向上させる。【解決手段】ドレイン領域1の一方の面側にチャネル領域11が形成され、そのチャネル領域11の一方の面側にソース領域12が選択的に形成される。ゲート電極4は、ゲート酸化膜5を介してチャネル領域11に隣接して設けられる。ソース電極6は、ソース領域12およびチャネル領域11の双方に接触するように形成される。小さなオン抵抗および高いアバランシェ耐量を実現するように、ソース領域12とソース電極6との接触面積とチャネル領域11とソース電極6との接触面積との比率が決められる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ドレイン領域と、上記ドレイン領域の一方の面側に形成されるチャネル領域と、上記チャネル領域の一方の面側に選択的に形成されるソース領域と、絶縁膜を介して上記チャネル領域に隣接して設けられるゲート電極と、上記チャネル領域および上記ソース領域の双方に接触するソース電極と、上記ドレイン領域の他方の面側に設けられるドレイン電極、を備える半導体装置において、上記ソース電極に接触する上記ソース領域の面積と上記ソース電極に接触する上記チャネル領域の面積との比率が、当該半導体装置のオン抵抗およびアバランシェ耐量の双方を考慮して決定されることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L29/78

FI (3件)：

H01L29/78 652F , H01L29/78 652E , H01L29/78 653A

引用特許：

出願人引用 (2件)

特公平7-123165号公報(図1〜図2、1〜2ページ)
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-100971 出願人：株式会社東芝

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