特許

J-GLOBAL ID：200903054632142186

太陽電池セルおよびその製造方法

発明者： 日置 正臣
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-013618
公開番号（公開出願番号）：特開2002-217435
出願日： 2001年01月22日
公開日（公表日）： 2002年08月02日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体基板の反りを解消するとともに、特性の低下を解消し、さらに低コスト化を図る。【解決手段】 シリコン基板1と、そのシリコン基板の裏面全体に形成されたアルミニウムからなる裏面電極55と、半導体基板の裏面電極接合面に形成されたBSF層4を備え、裏面電極を2種以上の厚み55a,55bで形成した構造とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、その半導体基板の裏面全体に形成されたアルミニウムからなる裏面電極と、半導体基板の裏面電極接合面に形成されたBSF層を備え、裏面電極が2種以上の厚みで形成されていることを特徴とする太陽電池セル。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/283 ,  H01L 29/41

FI (3件)：

H01L 21/283 A ,  H01L 31/04 H ,  H01L 29/44 B

Fターム (23件)：

4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB08 ,  4M104CC01 ,  4M104DD51 ,  4M104DD78 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE20 ,  4M104FF02 ,  4M104FF06 ,  4M104FF11 ,  4M104GG05 ,  4M104GG20 ,  4M104HH20 ,  5F051AA02 ,  5F051CB13 ,  5F051CB27 ,  5F051FA10 ,  5F051FA15 ,  5F051FA19 ,  5F051GA04 ,  5F051GA20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-330381   出願人：シャープ株式会社