特許
J-GLOBAL ID：200903054668182508
酸化物超電導導体の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-004696
公開番号（公開出願番号）：特開2000-203836
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、1mを超える長尺の基材上に製造でき、結晶配向性に優れた臨界電流密度の高い酸化物超電導層を備え、超電導コイル等への応用も加味した曲げ歪に強い酸化物超電導導体を効率良く製造する方法の提供を目的とする。【解決手段】 本発明は、安定化ジルコニアのターゲット36から発生させた粒子を基材A上に堆積させ、基材上にターゲットの構成元素からなる多結晶薄膜を形成し更に酸化物超電導層を形成する方法において、ターゲット36の構成粒子を基材A上に堆積させる際に、イオンソース39が発生させたイオンビームを基材Aの成膜面の法線Hに対して50〜60度の範囲の入射角度で斜め方向から照射しながら前記粒子を基材A上に堆積させて成膜するとともに、成膜時の温度を60〜150°Cの範囲とし、多結晶薄膜上に酸化物超電導層を形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
安定化ジルコニアのターゲットから発生させた粒子を基材上に堆積させ、基材上にターゲットの構成元素からなる多結晶薄膜を形成し、次いでこの多結晶薄膜上に酸化物超電導層を形成する酸化物超電導導体の製造方法において、安定化ジルコニアのターゲット粒子を基材上に堆積させる際に、イオンソースが発生させたイオンビームを基材の成膜面の法線に対して50〜60度の範囲の入射角度で斜め方向から照射しつつ前記粒子を堆積させて多結晶薄膜を形成させるとともに、成膜時の温度を60〜150°Cの範囲に設定し、多結晶薄膜形成後にその上に酸化物超電導層を形成することを特徴とする酸化物超電導導体の製造方法。
IPC (4件)：
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00
, H01B 12/06 ZAA
, H01B 13/00 565
C01G 3/00 ZAA
, C01G 1/00 S
, H01B 12/06 ZAA
, H01B 13/00 565 D
4G047JA03
, 4G047JB02
, 4G047JC02
, 4G047KE05
, 4G047KG04
, 4G047KG05
, 5G321AA04
, 5G321CA04
, 5G321CA18
, 5G321CA21
, 5G321CA27
, 5G321DB39
