特許
J-GLOBAL ID：200903022140255016

多結晶薄膜の製造方法と酸化物超電導導体の製造方法および多結晶薄膜の製造装置

発明者：
飯島 康裕

飯島 康裕 について

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保坂 真理子

保坂 真理子 について

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田辺 信夫

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定方 伸行

定方 伸行 について

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斉藤 隆

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出願人/特許権者：
株式会社フジクラ

株式会社フジクラ について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-291404
公開番号（公開出願番号）：特開平10-231122
出願日： 1997年10月23日
公開日（公表日）： 1998年09月02日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、基材の成膜面に対して直角向きに結晶軸のc軸を配向させることができると同時に、成膜面と平行な面に沿って結晶粒の結晶軸のa軸およびb軸をも揃えることができ、結晶配向性に優れた多結晶薄膜を提供すること、および、結晶配向性に優れた臨界電流密度の高い酸化物超電導層を備えた酸化物超電導導体を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明は、ターゲット36から発生させた粒子を基材A上に堆積させ、基材上にターゲット36の構成元素からなる多結晶薄膜Bを形成する方法において、ターゲット36の構成粒子を基材上に堆積させる際に、イオンソース39が発生させたイオンビームを基材Aの成膜面の法線Hに対して50〜60度の範囲の入射角度で斜め方向から照射しながら前記粒子を基材上に堆積させて成膜するとともに、成膜時の温度を300°C以下とすることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
ターゲットから発生させた粒子を基材上に堆積させ、基材上にターゲットの構成元素からなる多結晶薄膜を形成する方法において、ターゲットの構成粒子を基材上に堆積させる際に、イオンソースが発生させたイオンビームを基材の成膜面の法線に対して50〜60度の範囲の入射角度で斜め方向から照射しながら前記粒子を基材上に堆積させて成膜するとともに、成膜時の温度を300°C以下とすることを特徴とする多結晶薄膜の製造方法。
IPC (6件)：
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C30B 29/22 501 ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01L 39/24 ZAA
FI (6件)：
C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C30B 29/22 501 E ,  H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 D ,  H01L 39/24 ZAA B
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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