炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行 , 荒川伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-041658
公開番号（公開出願番号）：特開2009-200326
出願日： 2008年02月22日
公開日（公表日）： 2009年09月03日
要約：

【課題】信頼性を向上できる炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置の製造方法は、以下の工程を備えている。まず、主面110aを含む炭化珪素半導体層110が準備される。そして、炭化珪素半導体層110の主面110aにシリコンをドーピングして、炭化珪素半導体層に110おいてシリコンがドーピングされていない領域よりもシリコン濃度の高い高濃度領域115が形成される。そして、高濃度領域115と接する位置に、シリコンと化合物を生成する材料を含む金属層143、144が形成される。そして、金属層143、144を熱処理して、化合物を含む電極が形成される。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

主面を含む炭化珪素半導体層を準備する工程と、前記炭化珪素半導体層の前記主面にシリコンをドーピングして、前記炭化珪素半導体層において前記シリコンがドーピングされていない領域よりもシリコン濃度の高い高濃度領域を形成する工程と、前記高濃度領域と接する位置に、シリコンと化合物を生成する材料を含む金属層を形成する工程と、前記金属層を熱処理して、前記化合物を含む電極を形成する工程とを備えた、炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 21/28 , H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/337 , H01L 29/808 , H01L 21/338 , H01L 29/812

FI (7件)：

H01L21/28 301B , H01L29/78 301B , H01L29/78 301P , H01L29/80 C , H01L21/28 A , H01L21/28 301S , H01L29/80 F

Fターム (47件)：

4M104AA03 , 4M104BB01 , 4M104BB03 , 4M104BB21 , 4M104BB22 , 4M104BB23 , 4M104BB25 , 4M104CC01 , 4M104DD17 , 4M104DD26 , 4M104DD79 , 4M104DD84 , 4M104FF13 , 4M104GG02 , 4M104GG09 , 4M104GG11 , 4M104HH15 , 5F102FA01 , 5F102FA05 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD04 , 5F102GJ02 , 5F102GL02 , 5F102GM02 , 5F102GR07 , 5F102GR15 , 5F102GS03 , 5F102GT05 , 5F102GV07 , 5F102GV08 , 5F102HC07 , 5F102HC11 , 5F102HC24 , 5F140AA10 , 5F140AB08 , 5F140BA02 , 5F140BC06 , 5F140BF01 , 5F140BF05 , 5F140BH27 , 5F140BJ01 , 5F140BJ08 , 5F140BK22 , 5F140BK28 , 5F140BK34 , 5F140CB08

引用特許：

審査官引用 (2件)

オーミック電極の製造方法及び半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-273904 出願人：三洋電機株式会社
オーミック電極構造体、その製造方法、半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-282532 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所, 日産自動車株式会社

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