特許
J-GLOBAL ID：200903054680102315
III族窒化物系化合物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-222018
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053336
出願日： 1999年08月05日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：
【要約】【課題】 比較的安価な生産設備により製造が可能で、照明として使用した際に色再現範囲が十分に広いフルカラー対応の1チップ白色LEDを提供する。【解決手段】 中間層104の上には、計5層の半導体層により厚さ約500ÅのMQW活性層160が形成されている。本MQW活性層160は、膜厚約100ÅのGaNから成る計2層のバリア層162と、発光波長が相異なる計3層の井戸層とが交互に積層されて、MQW構造を成している。この3層の井戸層は、不純物(Zn,Si) が添加された膜厚約20ÅのAl0.1In0.9Nから成る赤色発光井戸層161R、膜厚約50ÅのGa0.8In0.2Nから成る不純物無添加の緑色発光井戸層161G、膜厚約30ÅのGa0.95In0.05Nから成る不純物無添加の青色発光井戸層161Bの順にそれぞれ積層されている。本白色LEDでの照明によれば、従来の1チップ白色LEDでは見ることができなかった赤色が見える。
請求項（抜粋）：
量子井戸構造を有する(Alx Ga1-x ) y In1-y N(0≦x≦1;0 ≦y≦1)からなる III族窒化物系化合物より形成された半導体層が積層された半導体発光素子において、複数の井戸層の内の少なくとも3層以上の井戸層の各混晶比を互いに異ならせ、少なくとも1つの井戸層にはアクセプタ不純物及びドナー不純物を添加することで井戸層を構成し、少なくとも3層以上の井戸層から発光される各光の色度を互いに異ならせることにより、全井戸層の発光に基づいて光取出面から放射される合成光を白色光としたことを特徴とする III族窒化物系化合物半導体発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 F
5F041AA12
, 5F041CA05
, 5F041CA12
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA50
, 5F041CA53
, 5F041CA56
, 5F041CA57
, 5F041CA65
, 5F041CA74
, 5F041CA82
, 5F041CA88
, 5F041CA92
, 5F041DA07
, 5F041DA09
