特許
J-GLOBAL ID：200903090707771385
3族窒化物半導体発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-188371
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022525
出願日： 1996年06月28日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：
【要約】【課題】単一画素で任意の色度(彩度、色相)の光を発光するようにすること、特に、純粋な白色発光を得ること。【解決手段】多重量子井戸構造の各井戸層512の結晶比を変化させることで禁制帯幅を変化させることができるので、発光のピーク波長を結晶比により変化させることができる。3族窒化物半導体を用いた多重量子井戸構造の発光素子において、発光する複数の井戸層512の結晶比を変化させることにより、各井戸層からの発光の合成光の波長強度特性を所望の特性とした。よって、単一画素から任意の色度を有する光を発光させることができる。
請求項（抜粋）：
3族窒化物半導体を用いた多重量子井戸構造の発光素子において、発光する複数の井戸層の混晶比を変化させることにより、各井戸層からの発光の合成光の波長強度特性を所望の特性としたことを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。
引用特許：
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