磁気メモリセルのアクセス方法及び磁気メモリセル

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐々木晴康 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-065913
公開番号（公開出願番号）：特開2001-256773
出願日： 2000年03月10日
公開日（公表日）： 2001年09月21日
要約：

【要約】【課題】従来の磁気トンネル接合(MTJ)素子を用いた磁気メモリではメモリ層となる強磁性層の磁化が面内方向であるため、素子の微細化にともない両端部の磁極による反磁界の影響が大きくなり、メモリ層の磁化が不安定になる。【解決手段】閉磁路構造を有する磁気メモリセル11の閉磁路内にビット線12を設け、磁気メモリセル11上に絶縁層26を介してワード線13を直交配列する。

請求項（抜粋）：

磁気メモリセルの記憶を保持する磁性層上に閉磁路層を設け、該磁性層と該閉磁路層とが構成する閉磁路内に第一の電流線を配置し、該閉磁路外に第二の電流線を配置するとともに、該第一の電流線に該閉磁路層の磁化は反転するが該磁性層の磁化は反転しない電流を流し、該第二の電流線に単独では該磁性層の磁化は反転しないが該第一の電流線との合成磁界は該磁性層の磁化を反転する電流を流すことにより、該磁性層の磁化方向を変えることを特徴とする磁気メモリセルのアクセス方法。

IPC (5件)：

G11C 11/15 , G11B 5/02 , G11C 11/14 , H01L 27/10 451 , H01L 43/08

FI (5件)：

G11C 11/15 , G11B 5/02 R , G11C 11/14 C , H01L 27/10 451 , H01L 43/08 Z

Fターム (7件)：

5D091CC05 , 5D091CC26 , 5D091HH20 , 5F083FZ10 , 5F083GA11 , 5F083KA01 , 5F083KA05

引用特許：

審査官引用 (1件)

磁気メモリ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-255308 出願人：三洋電機株式会社

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