特許
J-GLOBAL ID：200903054723375981

固体撮像装置

発明者：
河合 真一

河合 真一 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-180085
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026745
出願日： 1997年07月04日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：
【要約】【課題】 電荷転送部にCCD(電荷結合素子)を用いたCCD型固体撮像装置において、N型拡散層の不純物濃度を高くすると転送電荷量が多くなるが、チャネル電位が高くなり、垂直CCDレジスタ/水平CCDレジスタ接続部の転送効率が悪くなるという問題を克服し、チャネル電位の上昇を抑制しつつ、転送電荷量を大きくできる固体撮像装置を提供する。【解決手段】 垂直CCDレジスタの電荷転送部となる第1導電型拡散層を中央部の第1の拡散層およびその両側の第2の拡散層で構成し、かつ、第2の拡散層の不純物濃度は、第1の拡散層の不純物濃度よりも高くすることを特徴とするが、この不純物濃度の高さの割合は1、5倍以下であることが望ましい。
請求項（抜粋）：
複数のフォトダイオードと、該フォトダイオードの電荷を読み出しゲートを介して受け取って転送する垂直CCDレジスタと、該垂直CCDレジスタからの電荷を受け取って転送する水平CCDレジスタと、該水平CCDレジスタからの電荷を検出する電荷検出部と、出力増幅器とを有する固体撮像装置であって、前記垂直CCDレジスタが、第1導電型半導体基板の主面上に設けられた第2導電型ウェル内に形成された第1導電型拡散層と、その下部に形成された第2導電型拡散層と、前記第1導電型拡散層の表面に絶縁膜を介して配列された複数の転送ゲート電極とから構成されている固体撮像装置において、前記第1導電型拡散層が、中央部の第1の拡散層とその両側にそれぞれ連結して設けられた不純物濃度の高い第2の拡散層とで成ることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
H01L 27/148 ,  H04N 5/335
FI (2件)：
H01L 27/14 B ,  H04N 5/335 F
引用特許：
審査官引用 (3件)

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