特許

J-GLOBAL ID：200903054739928859

エレクトロニクス素子封止体およびその製造方法

発明者： 甲嶋 裕二 ,  小原 禎二 ,  夏梅 伊男
出願人/特許権者： 日本ゼオン株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-219635
公開番号（公開出願番号）：特開平6-049182
出願日： 1992年07月28日
公開日（公表日）： 1994年02月22日
要約：

【要約】【目的】 耐熱性、長期信頼性、封止材によるリードフレームの封止性に優れ、さらに形状の精度に優れたエレクトロニクス素子封止体を得る。【構成】 発光ダイオード、ダイオード、トランジスタやIC素子、CCD素子などの集積回路などの電子部品の半導体チップに用いられるエレクトロニクス素子を、トルエン溶媒によるGPC(ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィ)法で測定したポリスチレン換算値で、数平均分子量10,000〜200,000、水素添加率90%以上、Tg100°C以上のノルボルネン系開環重合体水素添加物で封止する。

請求項（抜粋）：

エレクトロニクス素子をノルボルネン系開環重合体水素添加物で封止したエレクトロニクス素子封止体。

IPC (4件)：

C08G 61/08 NLH ,  H01C 1/02 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 封止剤
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-171665   出願人：日本合成ゴム株式会社