特許

J-GLOBAL ID：200903054749025458

新規なタングステン溶着プロセス

発明者： サイレッシュ マンシン マーチャント ,  アラン クマー ナンダ ,  プラディップ クマー ロイ
出願人/特許権者： エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
代理人 (1件)： 岡部 正夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-342075
公開番号（公開出願番号）：特開平8-232080
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1996年09月10日
要約：

【要約】【課題】 望ましくないタングステンボルケイノの生成を避けてタングステンプラグを形成する。【解決手段】 コンタクトホールを有する基板をSiH4でパッシベーションし、パッシベーションされた基板上に比較的低圧でWF6をSiH4で還元することにより核生成層を形成し、且つ比較的高圧でWF6をSiH4で還元することによりタングステンを溶着してコンタクトホールを実質的に充填する。或いは、急速サーマルアニーリングにより基板上の窒化チタン層ピンホール欠陥を治癒する。

請求項（抜粋）：

タングステンプラグの成形方法に於いて、コンタクトホールを有する基板を配置し、該基板をSiH4に接触させて基板表面をパッシベーションし、パッシベーションした基板の存在下で1Torr以下の圧力でSiH4によりWF6を還元してパッシベーションした基板上に核生成層を形成し、且つ少なくとも10Torrの圧力でH2によりWF6を還元して少なくとも実質的にコンタクトホールを充填することを特徴とする方法。

IPC (6件)：

C23C 26/00 ,  C23C 16/06 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H05K 3/40 ,  H01L 21/203

FI (6件)：

C23C 26/00 B ,  C23C 16/06 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 301 R ,  H05K 3/40 Z ,  H01L 21/203 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-046714   出願人：シヤープ株式会社