特許
J-GLOBAL ID：200903054800002328
発光ダイオードおよびその製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
川澄 茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-152748
公開番号（公開出願番号）：特開2002-353505
出願日： 2001年05月22日
公開日（公表日）： 2002年12月06日
要約：
【要約】【課題】高輝度の発光ダイオードを得るべく、電極直下に部分絶縁膜及び電流分散膜を安価に形成し、これにより表面側電極の直下の電流分散層中に電流狭窄層を容易、且つ形成することを可能にする。【解決手段】結晶基板1上にヘテロ構造の発光領域層を形成し、その上に電流阻止用の部分絶縁膜6を形成し、その上にITO膜7から成る電流分散層を形成して、電流分散層中の表面側電極8の直下に電流狭窄層を形成した発光ダイオードにおいて、電流狭窄効果を出すための部分絶縁膜6の形成に、熱分解の塗布液を用い、微少ノズルによる塗布、紫外線を用いた部分紫外線分解などにて形成する。
請求項（抜粋）：
結晶基板上にヘテロ構造の発光領域層を形成し、その上に表面側電極と中心を一致させた電流阻止用の部分絶縁膜を形成し、その上に当該部分絶縁膜を覆う形で透明導電膜から成る電流分散層を形成することにより、電流分散層中における表面側電極の直下に位置する部分に電流狭窄層を形成し、更にチップ表面中央に部分的な表面側電極を形成し、裏面の一部分または全面に基板側電極を形成した発光ダイオードにおいて、上記部分絶縁膜が熱分解法またはゾルーゲル法により形成された膜から成ることを特徴とする発光ダイオード。
Fターム (14件)：
5F041AA03
, 5F041AA04
, 5F041AA21
, 5F041CA04
, 5F041CA34
, 5F041CA35
, 5F041CA36
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA76
, 5F041CA88
, 5F041CA98
, 5F041CB04
, 5F041FF01
