Al系配線構造及びAl系配線構造の形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高月亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-238904
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074176
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：

【要約】【目的】ビアホール等の接続孔部分におけるAl系材料吸い上げを防止でき、このAl系材料吸い上げ防止により、Al系配線の信頼性を向上し、かつプロセス条件の変更、プロセスステップの増加の必要なくこれを達成できるAl系配線構造及びAl系配線構造の形成方法を提供する。【構成】 ?@下層Al系配線上の接続孔4を介して該下層Al系配線と上層実配線とを接続するAl系配線構造において、上記接続孔4の近傍にダミー接続孔5を設け、上記接続孔4とダミー接続孔5の内、少なくとも接続孔4にはAl系材料を埋め込む。?Aダミー接続孔5に上層実配線と接続しないダミー配線を形成する。

請求項（抜粋）：

下層Al系配線上の接続孔を介して該下層Al系配線と上層実配線とを接続するAl系配線構造において、上記接続孔の近傍にダミー接続孔が設けられ、上記接続孔とダミー接続孔の内、少なくとも接続孔にはAl系材料が埋め込まれた構成となっていることを特徴とするAl系配線構造。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/203 , H01L 21/28 301 , H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/88 S , H01L 21/90 B

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開昭62-296444
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-356969 出願人：ソニー株式会社
特開平3-288438

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審査官引用 (7件)

特開平3-034545
特開平3-034545
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-356969 出願人：ソニー株式会社

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