特許
J-GLOBAL ID:200903054832623715
高周波マイクロマシン技術及びそのような技術の製造方法
発明者:
,
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (8件):
杉村 憲司
, 杉村 興作
, 来間 清志
, 藤谷 史朗
, 澤田 達也
, 津軽 進
, 宮崎 昭彦
, 笛田 秀仙
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-537520
公開番号(公開出願番号):特表2007-516097
出願日: 2004年10月26日
公開日(公表日): 2007年06月21日
要約:
RF-MEMSデバイスは、操作又は刺激に応じて動くように構成された1つ又はそれ以上の自立性薄膜を有し、上記1つ又はそれ以上の薄膜はアルミニウムとマグネシウムとの合金及び自由選択の1つ又はそれ以上の他の物質を有する。得られる薄膜は、従来の薄膜と比較して改善された硬度及び低減されたクリープを有する。
請求項(抜粋):
自立性薄膜を有する電子デバイスであって、前記薄膜はアルミニウムと少なくともマグネシウムとの合金を有する電子デバイス。
IPC (5件):
B81B 3/00
, B81C 1/00
, H03H 9/24
, H03H 9/00
, H03H 3/007
FI (5件):
B81B3/00
, B81C1/00
, H03H9/24 Z
, H03H9/00
, H03H3/007 Z
Fターム (2件):
引用特許:
前のページに戻る