半導体レーザおよびその製法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：河村洌 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-222021
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088439
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】高出力動作の可能な低ノイズ半導体レーザをうること、およびその結果、高周波重畳回路の不要な、記録書込み兼読取り用ピックアップをうること、およびその半導体レーザをうるための製法を提供する。【構成】活性層3を上下両面からはさむ上下クラッド層2、4、6の少なくとも一方の層中に、電流路となるストライプ溝を有する電流制限層を備えたダブルへテロ接合構造の半導体レーザであって、前記電流制限層5a、5bが複数層からなり、少なくともそのうちの1層が、前記電流路となるストライプ溝を横切る方向にスリットを有している。

請求項（抜粋）：

活性層を上下両面からはさむ上下クラッド層の少なくとも一方の層中に、電流路となるストライプ溝を有する電流制限層を備えたダブルへテロ接合構造の半導体レーザであって、前記電流制限層が複数層からなり、少なくともそのうちの1層が、前記電流路となるストライプ溝を横切る方向にスリットを有してなる半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 3/18 , H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (13件)

半導体レーザ装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-321679 出願人：松下電子工業株式会社
特開昭63-062391
特開昭61-281571

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