特許

J-GLOBAL ID：200903054871895900

パターン密度計測方法及び計測装置及び膜厚計測方法及びプロセス制御方法

発明者： 潮 嘉次郎
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-171094
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007174
出願日： 1999年06月17日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】 半導体プロセス等に於ける、プロセス制御、特にプロセス中の、膜厚計測のために重要な、基板上のパターン情報、特にパターン密度の測定方法及び装置を提供することである。【解決手段】表面にパターン構造を有する基板上のパターンの面積を、取得され光学的情報の輝度、色、エッジ位置から選ばれた一つ以上を基に計測し、パターン密度を計測した。

請求項（抜粋）：

表面にパターン構造を有する基板上のパターンの輝度、色、エッジ位置から選ばれた一つ以上を計測する段階を具えることを特徴とするパターン密度計測方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01B 11/00 ,  G01B 11/06 ,  G06T 7/00

FI (5件)：

H01L 21/66 P ,  H01L 21/66 J ,  G01B 11/00 H ,  G01B 11/06 H ,  G06F 15/62 405 Z

Fターム (55件)：

2F065AA00 ,  2F065AA12 ,  2F065AA22 ,  2F065AA30 ,  2F065AA56 ,  2F065AA58 ,  2F065BB02 ,  2F065BB17 ,  2F065CC19 ,  2F065CC31 ,  2F065DD06 ,  2F065FF01 ,  2F065FF04 ,  2F065GG24 ,  2F065HH12 ,  2F065HH13 ,  2F065JJ03 ,  2F065JJ09 ,  2F065JJ26 ,  2F065NN20 ,  2F065QQ25 ,  2F065QQ26 ,  2F065QQ27 ,  2F065QQ29 ,  2F065QQ31 ,  2F065QQ41 ,  4M106AA01 ,  4M106AA11 ,  4M106AA12 ,  4M106CA38 ,  4M106CA48 ,  4M106CA50 ,  4M106CA55 ,  4M106CA70 ,  4M106DB04 ,  4M106DH01 ,  4M106DH03 ,  4M106DH12 ,  4M106DH50 ,  4M106DJ38 ,  4M106DJ40 ,  5B057AA03 ,  5B057BA02 ,  5B057CA01 ,  5B057CA02 ,  5B057CA08 ,  5B057CA12 ,  5B057CA16 ,  5B057DA08 ,  5B057DB02 ,  5B057DB05 ,  5B057DB06 ,  5B057DB09 ,  5B057DC04 ,  5B057DC16

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 被検査パターンの欠陥検査方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-128197   出願人：株式会社日立製作所
• 走査電子顕微鏡
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-026735   出願人：日本電子株式会社
• パターン検査装置及び方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-116202   出願人：株式会社日立製作所