電界効果型半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-241785
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068482
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：

【要約】【課題】 HEMT及びMESFETの高耐圧化を図ることが困難であった。【解決手段】 HEMTのソ-スパッド部分2b、ドレインパッド部分3bを主ソ-ス電極部分2a、主ドレイン電極部分3aと同様に台状部分12aの中のショットキ層10の上にコンタクト層11c、11d介して配置する。ソ-ス電極2及びドレイン電極3をバッファ層6に接触させない。

請求項（抜粋）：

絶縁性又は半絶縁性基板と、この基板の一方の主面上に配置されたバッファ層と、このバッファ層の上に配置され且つソ-ス・ドレイン間電流通路を含んでいる単一又は複数の半導体層から成る主半導体領域と、ソ-ス電極と、ドレイン電極と、ゲ-ト電極とを有する電界効果型半導体装置であって、前記ソ-ス電極は主ソ-ス電極部分とソ-ス接続部分とソ-ス連結部分とを有し、前記ドレイン電極は主ドレイン電極部分とドレイン接続部分とドレイン連結部分とを有し、前記ゲ-ト電極は主ゲ-ト電極部分とゲ-ト接続部分とゲ-ト連結部分とを有し、前記主半導体領域は前記基板又は前記バッファ層の上に台状に形成され、前記主ソ-ス電極部分及び前記主ドレイン電極部分は前記主半導体領域にオ-ミック接続され、前記主ゲ-ト電極部分は前記主半導体領域にショットキ-接続され、前記ソ-ス接続部分、前記ドレイン接続部分及び前記ゲ-ト接続部分は前記台状に形成された主半導体領域上に形成され、前記ソ-ス連結部分は前記主ソ-ス電極部分を前記ソ-ス接続部分に電気的に接続するように配置され、前記ドレイン連結部分は前記主ドレイン電極部分を前記ドレイン接続部分に電気的に接続するように配置され、前記ゲ-ト連結部分は前記主ゲ-ト電極部分を前記ゲ-ト接続部分に電気的に接続するように配置されていることを特徴とする電界効果型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/778

FI (2件)：

H01L 29/80 L , H01L 29/80 H

Fターム (9件)：

5F102FA01 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GQ01 , 5F102GS09 , 5F102GV03 , 5F102GV06 , 5F102GV07

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭54-098580
特開昭61-222272
電界効果型トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-017090 出願人：京セラ株式会社

全件表示

前のページに戻る