特許

J-GLOBAL ID：200903054892951908

スパッタリング用高純度チタンターゲット及びその製造方法

発明者： 寺田 勝則 ,  中台 保夫 ,  金 豊
出願人/特許権者： 真空冶金株式会社
代理人 (1件)： 八木田 茂 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-140945
公開番号（公開出願番号）：特開平8-333676
出願日： 1995年06月07日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】 半導体デバイスのスパッタリング成膜に使用される高純度チタンターゲットに関してその結晶粒の微細化を図ると共に面内配向性を制御すること。【構成】 純度4N5以上(但し、不純物としては金属成分)の高純度チタンのバルク材に管理された温度で塑性加工を施した後に、管理された温度で熱処理を施し、結晶の平均粒径が20μm以下(ASTM8.5以上)とし、外表面に平行な結晶面の法線方向への配向を

請求項（抜粋）：

純度4N5以上(但し、不純物としては金属成分)で平均粒径が20μm以下であることを特徴とするスパッタリング用高純度チタンターゲット。

IPC (5件)：

C23C 14/34 ,  C22C 14/00 ,  C22F 1/18 ,  C23C 14/14 ,  H01L 21/203

FI (5件)：

C23C 14/34 A ,  C22C 14/00 Z ,  C22F 1/18 H ,  C23C 14/14 D ,  H01L 21/203 S

引用特許：

審査官引用 (1件)

• スパッタリング用高純度チタンターゲット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-318181   出願人：真空冶金株式会社