特許

J-GLOBAL ID：200903054893669998

半導体装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器

発明者： 北和田 清文
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-257368
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085693
出願日： 1999年09月10日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：

【要約】【課題】 LDD構造を有するTFT等におけるLDD構造を形成する際に、マスクずれによる特性のバラツキを吸収できる構造及びその製造方法等を提供する。【解決手段】 不純物が導入されたソース・ドレイン領域と、前記ソース・ドレイン領域に不純物が導入された濃度よりも低い濃度で不純物が導入されたLDD領域を具備する半導体装置(TFT等)において、前記ソース・ドレイン領域1d,1eとLDD領域1b,1cとの間の領域に、不純物濃度がソース・ドレイン領域よりも低くかつLDD領域よりも高い中濃度領域1g,1hを設けたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

基板上に形成されてなる半導体層に不純物が導入されたソース・ドレイン領域と、前記ソース・ドレイン領域に導入された不純物の濃度よりも低い濃度で不純物が導入されたLDD領域を具備する半導体装置の製造方法であって、前記基板上に前記半導体層を形成した後、前記半導体層のうち少なくとも前記LDD領域となる部分及び前記LDD領域に隣接し前記ソース・ドレイン領域の不純物濃度に対し中濃度領域となる部分をマスクで覆い、ソース・ドレイン領域となる部分に不純物を高濃度で導入する工程と、前記LDD領域となる部分をマスクで覆い、中濃度領域となる部分に不純物を中濃度で導入する工程と、前記LDD領域となる部分のマスクを除去した後、LDD領域となる部分に不純物を低濃度で導入する工程と、を少なくとも有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/1365

FI (2件)：

H01L 29/78 616 A ,  G02F 1/136 500

Fターム (67件)：

2H092GA51 ,  2H092HA26 ,  2H092HA27 ,  2H092JA24 ,  2H092JA31 ,  2H092JA32 ,  2H092JA34 ,  2H092JA35 ,  2H092JA37 ,  2H092JA41 ,  2H092JB22 ,  2H092JB31 ,  2H092JB69 ,  2H092KA05 ,  2H092KA10 ,  2H092MA13 ,  2H092MA17 ,  2H092MA27 ,  2H092MA29 ,  2H092NA01 ,  2H092NA24 ,  2H092NA25 ,  2H092PA02 ,  2H092PA06 ,  2H092PA07 ,  2H092PA10 ,  2H092PA11 ,  2H092QA07 ,  2H092QA10 ,  2H092RA05 ,  5F110AA06 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110DD15 ,  5F110DD24 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF30 ,  5F110FF31 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG25 ,  5F110GG35 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL06 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN27 ,  5F110NN32 ,  5F110NN73 ,  5F110NN78 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP35

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 絶縁ゲイト型電界効果トランジスタ及びその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-307442   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• 液晶表示装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-251917   出願人：株式会社東芝