特許

J-GLOBAL ID：200903097683722943

絶縁ゲイト型電界効果トランジスタ及びその作製方法

発明者： 張 宏勇 ,  大塚 憲司 ,  磯田 志郎
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-307442
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135474
出願日： 1996年10月31日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：

【要約】【課題】 ソース/ドレイン領域を形成する際の、添加した不純物の回り込みによるIGFETの特性の劣化を解決することを課題とする。【解決手段】 絶縁ゲイト型電界効果トランジスタのソース/ドレイン領域を、ソース/ドレインとして機能する領域と、ソース/ドレイン領域と電極とのコンタクト領域とに分離し、電極とのオーミックコンタクトを形成するため、コンタクト領域には高濃度に不純物を添加し、ソース/ドレインとして機能する領域には、回り込みを少なくするため低濃度に不純物を添加する。

請求項（抜粋）：

絶縁ゲイト型電界効果トランジスタにおいて、半導体層がチャネル領域と、低不純物領域と、ソース/ドレインとして機能する領域と、ソース/ドレインと電極とのコンタクト領域とからなり、前記コンタクト領域は、ソース/ドレインとして機能する領域よりも不純物濃度が高いことを特徴とする絶縁ゲイト型電界効果トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 616 V ,  H01L 29/78 616 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 半導体集積回路装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-295255   出願人：シチズン時計株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-191020   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
• イオンドーピング方法及びイオンドーピング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-222586   出願人：ソニー株式会社