特許

J-GLOBAL ID：200903054894902378

III-V族窒化物半導体素子

発明者： 加地 徹 ,  冨田 一義 ,  伊藤 健治
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 布施 行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-031238
公開番号（公開出願番号）：特開平10-214999
出願日： 1997年01月30日
公開日（公表日）： 1998年08月11日
要約：

【要約】【課題】 特定のバッファ層を有することにより、結晶欠陥が少ない高品質の半導体層を含むIII-V族窒化物半導体素子を提供する。【解決手段】 III-V族窒化物半導体素子は、基板1、該基板1上に形成されたバッファ層20、および該バッファ層20上に形成された、複数のIII-V族窒化物半導体層からなる堆積層30を有する。前記バッファ層20は、少なくとも、In<SB>x</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(0<x≦1)で表されるIII-V族窒化物半導体、たとえばInNからなる第1バッファ層2、およびこの第1バッファ層より上にあって、Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N(0≦y≦1)で表されるIII-V族窒化物半導体、たとえばGaNからなる第2バッファ層3を含む。堆積層30は、たとえばレーザ構造を有する。

請求項（抜粋）：

基板、該基板上に形成されたバッファ層、および該バッファ層上に形成された、複数のIII-V族窒化物半導体層を含み、前記バッファ層は、少なくとも、In<SB>x</SB>Ga<SB>1-X</SB>N(0<x≦1)で表されるIII-V族窒化物半導体からなる第1バッファ層、およびこの第1バッファ層より上にあって、Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>N(0≦y≦1)で表されるIII-V族窒化物半導体を主成分とする第2バッファ層を含むことを特徴とするIII-V族窒化物半導体素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-038157   出願人：株式会社東芝
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-235013   出願人：ローム株式会社