薄膜型スーパーコンデンサ及びその製造方法並びにそれを利用したハイブリッド電池

発明者： , , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：津国肇 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-355363
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313237
出願日： 2000年11月22日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
要約：

【要約】【課題】薄膜型電池をハイブリッド又は単独に構成して超小型精密部品及び情報通信機器の電力源として応用し得る薄膜型スーパーコンデンサ及びその製造方法並びにそれを利用したハイブリッド電池を提供する。【解決手段】基板(20)上に4μm以下の厚さを有する下部電極薄膜(23)を形成し、該下部電極薄膜(23)上に5μm以下の厚さを有する固体電解質薄膜(24)を形成し、該固体電解質薄膜(24)上に4μm以下の厚さを有する上部電極薄膜(25)を形成して、薄膜型スーパーコンデンサを構成し、これを利用したハイブリッド電池を構成する。

請求項（抜粋）：

基板の上面に厚さ4μm以下に形成された下部電極薄膜と、該下部電極薄膜の上面に厚さ5μm以下に形成された固体電解質薄膜と、該固体電解質薄膜の上面に厚さ4μm以下に形成された上部電極薄膜と、を包含して構成されることを特徴とする薄膜型スーパーコンデンサ。

IPC (9件)：

H01G 9/22 , H01G 9/00 , C23C 14/06 , C23C 14/08 , H01G 9/025 , H01G 9/058 , H01G 9/016 , H01G 9/28 , H01M 2/10

FI (9件)：

C23C 14/06 K , C23C 14/06 P , C23C 14/08 J , H01M 2/10 Y , H01G 9/22 , H01G 9/00 301 G , H01G 9/00 301 A , H01G 9/00 301 F , H01G 9/00 531

Fターム (16件)：

4K029BA41 , 4K029BA43 , 4K029BC03 , 4K029CA06 , 4K029DA08 , 4K029DC03 , 4K029DC35 , 4K029DC39 , 5H040AA01 , 5H040AS00 , 5H040AS11 , 5H040AT04 , 5H040AY00 , 5H040CC00 , 5H040GG00 , 5H040JJ00

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体基板搭載型二次電池
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-102625 出願人：日本電気株式会社
電気化学キャパシタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-154864 出願人：日産自動車株式会社
特開平4-233170

全件表示

前のページに戻る