特許
J-GLOBAL ID：200903054899303472
静電容量型トランスデューサの製造方法および静電容量型トランスデューサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
木下 實三 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-325385
公開番号（公開出願番号）：特開平10-170374
出願日： 1996年12月05日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 可動電極と固定電極との絶縁を確保できるとともに十分な接合強度が得られ、容易に製造できる静電容量型トランスデューサの製造方法および静電容量型トランスデューサを提供すること。【解決手段】 基板30と、この基板30に対して変位可能に空隙を介して対向配置された可動電極20と、基板30の可動電極20と対向する検出面30Aに設けられた固定電極31,32とを備えた静電容量型トランスデューサ10を、基板30の検出面30Aの固定電極31,32を含むほぼ全面に絶縁膜11を形成した後に、この絶縁膜11を介して基板30と可動電極20とを互いに陽極接合して製造する。
請求項（抜粋）：
基板と、この基板に対して変位可能にかつ空隙を介して対向配置された可動電極と、前記基板の前記可動電極と対向する検出面に設けられた固定電極とを備え、前記基板と前記可動電極とが互いに陽極接合された静電容量型トランスデューサの製造方法であって、前記基板の検出面の前記固定電極を含むほぼ全面に絶縁膜を形成した後に、この絶縁膜を介して前記基板と前記可動電極とを互いに陽極接合することを特徴とする静電容量型トランスデューサの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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