特許
J-GLOBAL ID：200903054909069694
酸化ニッケル粉末の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 正緒
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-358889
公開番号（公開出願番号）：特開2004-189530
出願日： 2002年12月11日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
【課題】硫酸ニッケル原料の焙焼により、電子部品材料用として好適な、不純物が少なく硫黄品位の低い酸化ニッケル粉末を安定して製造する方法を提供する。【解決手段】横型回転式製造炉を使用し、無水の硫酸ニッケルを原料として、炉内に出口側から入口側に向かって強制的に空気を炉断面積に対して15mm/秒以上の流速で流しながら、最高温度900〜1200°Cで焙焼する。横型回転式製造炉は、加熱部の長さ:径の比を3:1以上とすることが好ましい。得られる酸化ニッケル粉末の硫黄品位を500ppm以下に安定して制御できる。【選択図】 なし
請求項（抜粋）：
横型回転式製造炉を使用し、無水の硫酸ニッケルを原料として、炉内に出口側から入口側に向かって強制的に空気を炉断面積に対して15mm/秒以上の流速で流しながら、最高温度900〜1200°Cで焙焼することにより、硫黄品位500ppm以下の酸化ニッケル粉末を得ることを特徴とする酸化ニッケル粉末の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (4件)：
4G048AA02
, 4G048AB05
, 4G048AD03
, 4G048AE05
