特許
J-GLOBAL ID：200903054913424849

半導体ウエハのエッチング方法

発明者：
小林 範行

小林 範行 について


出願人/特許権者：
日曹エンジニアリング株式会社

日曹エンジニアリング株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-271065
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093876
出願日： 1999年09月24日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：
【要約】【課題】ウエハの薄層化のための均一なエッチングと、均一な粗面化とを同時に達成可能にする半導体ウエハのエッチング方法を実現する。【解決手段】 半導体ウエハのエッチング方法において、ふっ酸と硝酸とを主成分とするエッチング液を、水平に保持されたシリコンウエハ上にその上全面を覆うまで供給した後、該エッチング液の供給を停止し、該シリコンウエハを静置した状態でエッチング反応を行うものである。
請求項（抜粋）：
ふっ酸と硝酸とを主成分とするエッチング液を、水平に保持されたシリコンウエハ上にその上全面を覆うまで供給した後、該エッチング液の供給を停止し、該シリコンウエハを静置した状態でエッチング反応を行うことを特徴とする半導体ウエハのエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/306 ,  H01L 21/308 ,  C23F 1/24
FI (3件)：
H01L 21/308 B ,  C23F 1/24 ,  H01L 21/306 B
Fターム (15件)：
4K057WA05 ,  4K057WB06 ,  4K057WE02 ,  4K057WE07 ,  4K057WK01 ,  4K057WM04 ,  4K057WN01 ,  5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD10 ,  5F043DD30 ,  5F043EE07 ,  5F043EE08 ,  5F043EE27 ,  5F043GG10
引用特許：
審査官引用 (3件)

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